70V657S10DR
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Artikelnummer: | 70V657S10DR |
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Hersteller / Marke: | IDT (Renesas Electronics Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 10ns |
Spannungsversorgung | 3.15V ~ 3.45V |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 208-PQFP (28x28) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 208-BFQFP |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 1.125Mbit |
Speicherorganisation | 32K x 36 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Grundproduktnummer | 70V657 |
Zugriffszeit | 10 ns |
70V657S10DR Einzelheiten PDF [English] | 70V657S10DR PDF - EN.pdf |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
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IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP
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IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
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IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA
2024/06/6
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2023/12/20
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